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Furnace

반도체 공정중 확산막 형성에 사용되는 장비로 절연 산화막 형성, N2 Anneal 공정 등 장시간 고온 열처리 장비

Process Application : Diffusion / Oxidation(Wet/Dry) / Annealing / Alloy / LPCVD

Features

  • Full Batch 12" Vertical Furnace
  • 16 FOUP stock
  • Load Lock Function
  • 2 FIMS (Improve Through-Put)
  • Boat Rotation
  • FAB Automation (OHT)
  • Flexibility for S/W upgrade

RTA

반도체 제조 공정시 Metal line 급속 열처리에 필요한 장비로 1000’C 이상 고온 열처리에 사용

Process Application :Implant & Barrier Metal Anneal, Reflow, Silicide, RTO, RTN

The Merits : High Throughput & Low COO

Features

  • Lamp Life Time : 10,000Hrs
  • Control Range : 300∼1300℃
  • Temp Uniformity :≤±1.0%
  • Ramp Up/Down Rate(℃/sec) : Up max. 250 / Down 70
  • Oxygen Concentration (N2 Loadlock : < 30 ppm, Chamber : < 0.3 ppm)

Vertical Anneal/Baking Furnace

반도체 공정중 확산막 형성에 사용되는 장비로 절연 산화막 형성, N2 Anneal 공정 등 장시간 고온 열처리 장비

RTAF

Application : OLED, LTPS LCD

탈수소화공정 (Dehydrogenation & Oxide Anneal)

F-Furnace

Application : OLED Anneal

Features

  • Glass Thickness : 0.5 ~ 0.7T
  • Glass Boat Slots : 30 slots
  • Temperature Range : 300 ~ 500℃
  • Max. Temperature : 550℃
  • Temp. Uniformity : ≤±4.0℃